Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi
  5. JAN2N7334

Microsemi Corporation - JAN2N7334

KEY Part #: K6523786

[4049gab krājumi]

    Daļas numurs:
    JAN2N7334
    Ražotājs:
    Microsemi Corporation
    Detalizēts apraksts:
    MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - Zener - Single, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tiristori - SCR, Tiristori - DIAC, SIDAC, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji) and Diodes - taisngrieži - masīvi ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in Microsemi Corporation JAN2N7334 electronic components. JAN2N7334 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN2N7334, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JAN2N7334 Produkta atribūti

    Daļas numurs : JAN2N7334
    Ražotājs : Microsemi Corporation
    Apraksts : MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
    Sērija : Military, MIL-PRF-19500/597
    Daļas statuss : Active
    FET tips : 4 N-Channel
    FET iezīme : Standard
    Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 100V
    Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 1A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 700 mOhm @ 600mA, 10V
    Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
    Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 60nC @ 10V
    Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Jauda - maks : 1.4W
    Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montāžas tips : Through Hole
    Iepakojums / lieta : 14-DIP (0.300", 7.62mm)
    Piegādātāja ierīces pakete : MO-036AB

    Jaunākās ziņas

    Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
    Jūs varētu arī interesēt
    • PMGD175XN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP.

    • FDG6318P

      ON Semiconductor

      MOSFET 2P-CH 20V 0.5A SC70-6.

    • IRF7503TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8.

    • UPA1764G-E2-AZ

      Renesas Electronics America

      MOSFET 2N-CH 60V 7A 8-SOIC.

    • TMC1340-SO

      Trinamic Motion Control GmbH

      MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC.

    • SI4618DY-T1-GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO.

    Karstās daļas