Vishay Siliconix - SIHB35N60E-GE3

KEY Part #: K6399421

SIHB35N60E-GE3 Cenas (USD) [13208gab krājumi]

  • 1 pcs$3.12016
  • 10 pcs$2.78743
  • 100 pcs$2.28569
  • 500 pcs$1.85085
  • 1,000 pcs$1.56096

Daļas numurs:
SIHB35N60E-GE3
Ražotājs:
Vishay Siliconix
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - TRIAC, Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tiristori - SCR - moduļi, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Diodes - Zener - Single, Tiristori - DIAC, SIDAC and Tiristori - SCR ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Siliconix SIHB35N60E-GE3 electronic components. SIHB35N60E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHB35N60E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHB35N60E-GE3 Produkta atribūti

Daļas numurs : SIHB35N60E-GE3
Ražotājs : Vishay Siliconix
Apraksts : MOSFET N-CH 600V 32A D2PAK TO263
Sērija : -
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 650V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 32A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 94 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 132nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±30V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 2760pF @ 100V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 250W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : D²PAK (TO-263)
Iepakojums / lieta : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Jūs varētu arī interesēt
  • TP2535N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.086A TO92-3.

  • VP0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 60V 0.25A TO92-3.

  • VP0550N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 500V 0.054A TO92-3.

  • VN2210N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 1.2A TO92-3.

  • TN0110N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3.

  • ZVP0545A

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.