Infineon Technologies - IPB042N03LGATMA1

KEY Part #: K6399812

IPB042N03LGATMA1 Cenas (USD) [120210gab krājumi]

  • 1 pcs$0.30769

Daļas numurs:
IPB042N03LGATMA1
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tiristori - SCR, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - IGBT - moduļi, Strāvas draivera moduļi and Diodes - RF ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies IPB042N03LGATMA1 electronic components. IPB042N03LGATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB042N03LGATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB042N03LGATMA1 Produkta atribūti

Daļas numurs : IPB042N03LGATMA1
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : MOSFET N-CH 30V 70A TO-263-3
Sērija : OptiMOS™
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 30V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 70A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 2.2V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 38nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 3900pF @ 15V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 79W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : D²PAK (TO-263AB)
Iepakojums / lieta : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Jūs varētu arī interesēt
  • TN2106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3.

  • BTS282ZE3180AATMA2

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

  • AUIRFR5410

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 100V 13A DPAK.

  • IRFIBF20GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP.

  • IRFI840GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220FP.

  • IRLIZ14GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 8A TO220FP.