Microsemi Corporation - APT34F100B2

KEY Part #: K6394497

APT34F100B2 Cenas (USD) [4849gab krājumi]

  • 1 pcs$9.87588
  • 30 pcs$9.82675

Daļas numurs:
APT34F100B2
Ražotājs:
Microsemi Corporation
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Strāvas draivera moduļi, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Diodes - taisngrieži - masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Diodes - taisngrieži - vienreizēji and Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Microsemi Corporation APT34F100B2 electronic components. APT34F100B2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT34F100B2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT34F100B2 Produkta atribūti

Daļas numurs : APT34F100B2
Ražotājs : Microsemi Corporation
Apraksts : MOSFET N-CH 1000V 35A T-MAX
Sērija : POWER MOS 8™
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 1000V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 35A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 380 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 5V @ 2.5mA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 305nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±30V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 9835pF @ 25V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 1135W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete : T-MAX™ [B2]
Iepakojums / lieta : TO-247-3 Variant