[17877gab krājumi]
- Daļas numurs:
- KLUGGARHDA-B0D1
- Ražotājs:
- Samsung Semiconductor
- Detalizēts apraksts:
- UFS 3.0 1 TB 1.2 / 2.5 V G4 2Lane 11.5 x 13 x 1.25 mm -25 ~ 85 °C Sample.
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: GDDR5, DDR3, GDDR6, LPDDR3, DDR4, LPDDR4X, LPDDR5 and SLC Nand ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Samsung Semiconductor KLUGGARHDA-B0D1 electronic components. KLUGGARHDA-B0D1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for KLUGGARHDA-B0D1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
KLUGGARHDA-B0D1 Produkta atribūti
Daļas numurs :
KLUGGARHDA-B0D1
Ražotājs :
Samsung Semiconductor
Apraksts :
UFS 3.0 1 TB 1.2 / 2.5 V G4 2Lane 11.5 x 13 x 1.25 mm -25 ~ 85 °C Sample
Sērija :
DDR3
versija :
UFS 3.0
blīvums :
1 TB
spriegums :
1.2 / 2.5 V
Interface :
G4 2Lane
Iepakojuma izmērs :
11.5 x 13 x 1.25 mm
Temp. :
-25 ~ 85 °C
Preces statuss :
Sample
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
MZPJB800HMGC
Samsung Semiconductor
SZ985 PCIe Gen3 x4 HHHL 800 GB 3400 MB/s 3000 MB/s 750K IOPS 170K IOPS Mass Production.
-
MZILT1T9HAJQ
Samsung Semiconductor
PM1643 SAS 12.0 Gbps 2.5 inch 1.92 TB 2100 MB/s 1800 MB/s 440K IOPS 46K IOPS 1(5yrs) Mass Production.
-
MZILT3T8HALS
Samsung Semiconductor
PM1643 SAS 12.0 Gbps 2.5 inch 3.84 TB 2100 MB/s 2000 MB/s 450K IOPS 58K IOPS 1(5yrs) Mass Production.
-
MZILT7T6HMLA
Samsung Semiconductor
PM1643 SAS 12.0 Gbps 2.5 inch 7.68 TB 2100 MB/s 2000 MB/s 400K IOPS 70K IOPS 1(5yrs) Mass Production.
-
MZILT960HAHQ
Samsung Semiconductor
PM1643 SAS 12.0 Gbps 2.5 inch 960 GB 2100 MB/s 1000 MB/s 350K IOPS 30K IOPS 1(5yrs) Mass Production.
-
MZPLL12THMLA
Samsung Semiconductor
PM1725b PCIe Gen3 x8 HHHL 12.8 TB 6300 MB/s 3300 MB/s 940K IOPS 110K IOPS 3(5yrs) Mass Production.