Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Integrētās shēmas (IC)
  4. Atmiņas
  5. W947D6HBHX6E TR

Winbond Electronics - W947D6HBHX6E TR

KEY Part #: K942564

W947D6HBHX6E TR Cenas (USD) [49022gab krājumi]

  • 1 pcs$1.01170
  • 2,500 pcs$1.00666
Daļas numurs:
W947D6HBHX6E TR
Ražotājs:
Winbond Electronics
Detalizēts apraksts:
IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA. DRAM 128M mDDR, x16, 166MHz, 65nm T&R
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Atmiņa - FPGA konfigurācijas profili, PMIC - akumulatoru lādētāji, Pulkstenis / laika grafiks - kavēšanās līnijas, Datu iegūšana - ADC / DAC - īpašam nolūkam, Loģika - paritātes ģeneratori un dambrete, Interfeiss - balss ieraksts un atskaņošana, PMIC - sprieguma atsauce and PMIC - Ethernet (PoE) kontrolieri ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Winbond Electronics W947D6HBHX6E TR electronic components. W947D6HBHX6E TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for W947D6HBHX6E TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

W947D6HBHX6E TR Produkta atribūti

Daļas numurs : W947D6HBHX6E TR
Ražotājs : Winbond Electronics
Apraksts : IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Atmiņas tips : Volatile
Atmiņas formāts : DRAM
Tehnoloģijas : SDRAM - Mobile LPDDR
Atmiņas lielums : 128Mb (8M x 16)
Pulksteņa frekvence : 166MHz
Rakstīt cikla laiku - vārds, lappuse : 15ns
Piekļuves laiks : 5ns
Atmiņas interfeiss : Parallel
Spriegums - padeve : 1.7V ~ 1.95V
Darbības temperatūra : -25°C ~ 85°C (TC)
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : 60-TFBGA
Piegādātāja ierīces pakete : 60-VFBGA (8x9)

Jaunākās ziņas

Winbond NOR Product Portfolio
Winbond DRAM Product Portfolio
Jūs varētu arī interesēt
  • IS25WP064A-JKLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 64M SPI 133MHZ 8WSON. NOR Flash 64Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS

  • IS25WP032A-JKLE-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ WSON. NOR Flash 32Mb QPI/QSPI, WSON, RoHS, T&R

  • 25LC512-E/MF

    Microchip Technology

    IC EEPROM 512K SPI 20MHZ 8DFN. EEPROM 512k 64KX8 2.5V SER EE EXT

  • 602-10001

    Parallax Inc.

    IC EEPROM 512K I2C 1MHZ.

  • W25Q128FWSIG

    Winbond Electronics

    IC FLASH 128M SPI 104MHZ 8SOIC. NOR Flash spiFlash, 128M-bit, 4Kb Uniform Sector

  • IS25WP032A-JBLE

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOP.

Karstās daļas