Microsemi Corporation - 1N5822US

KEY Part #: K6441014

Detalizēts apraksts:: DIODE SCHOTTKY 40V 3A B-MELF. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky

Ģimenes kategorijas:: KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Diodes - RF, Diodes - Zener - Single, Tiristori - SCR, Diodes - Zener - masīvi, Tiristori - TRIAC and Strāvas draivera moduļi ...

Konkurences priekšrocības:: We specialize in Microsemi Corporation 1N5822US electronic components. 1N5822US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5822US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Daļas numurs : 1N5822US

Ražotājs : Microsemi Corporation

Apraksts : DIODE SCHOTTKY 40V 3A B-MELF

Sērija : -

Daļas statuss : Active

Diodes tips : Schottky

Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 40V

Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 3A

Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 500mV @ 3A

Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reversās atveseļošanās laiks (trr) : -

Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 100µA @ 40V

Kapacitāte @ Vr, F : -

Montāžas tips : Surface Mount

Iepakojums / lieta : SQ-MELF, B

Piegādātāja ierīces pakete : B, SQ-MELF

Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 125°C

Jūs varētu arī interesēt

RURD420S9A_T

ON Semiconductor

DIODE GEN PURP 200V 4A TO252.
IDB10S60CATMA2

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK.
VS-8EWF04S-M3

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 8A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching New Input Diodes - D-PAK-e3
VS-MURB1520TRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 15A D2PAK.
VS-20ETS08STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.
VS-20ETS12STRLPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 1.2KV 20A D2PAK.

Karstās daļas