ON Semiconductor - NTD3055L104G

KEY Part #: K6409169

[374gab krājumi]


    Daļas numurs:
    NTD3055L104G
    Ražotājs:
    ON Semiconductor
    Detalizēts apraksts:
    MOSFET N-CH 60V 12A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - īpašam nolūkam, Diodes - tilta taisngrieži, Strāvas draivera moduļi, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Diodes - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - JFET and Diodes - Zener - masīvi ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in ON Semiconductor NTD3055L104G electronic components. NTD3055L104G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTD3055L104G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTD3055L104G Produkta atribūti

    Daļas numurs : NTD3055L104G
    Ražotājs : ON Semiconductor
    Apraksts : MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
    Sērija : -
    Daļas statuss : Obsolete
    FET tips : N-Channel
    Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 60V
    Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 12A (Ta)
    Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 104 mOhm @ 6A, 5V
    Vgs (th) (Maks.) @ ID : 2V @ 250µA
    Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 20nC @ 5V
    VG (maksimāli) : ±15V
    Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 440pF @ 25V
    FET iezīme : -
    Jaudas izkliede (maks.) : 1.5W (Ta), 48W (Tj)
    Darbības temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Montāžas tips : Surface Mount
    Piegādātāja ierīces pakete : DPAK
    Iepakojums / lieta : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63