Vishay Semiconductor Diodes Division - EGL34FHE3/83

KEY Part #: K6447649

[1351gab krājumi]


    Daļas numurs:
    EGL34FHE3/83
    Ražotājs:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    Detalizēts apraksts:
    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tiristori - TRIAC, Tranzistori - īpašam nolūkam, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tranzistori - JFET, Tiristori - SCR, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi and Diodes - Zener - masīvi ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division EGL34FHE3/83 electronic components. EGL34FHE3/83 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EGL34FHE3/83, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    EGL34FHE3/83 Produkta atribūti

    Daļas numurs : EGL34FHE3/83
    Ražotājs : Vishay Semiconductor Diodes Division
    Apraksts : DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213
    Sērija : SUPERECTIFIER®
    Daļas statuss : Discontinued at Digi-Key
    Diodes tips : Standard
    Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 300V
    Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 500mA
    Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.35V @ 500mA
    Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 50ns
    Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 5µA @ 300V
    Kapacitāte @ Vr, F : 7pF @ 4V, 1MHz
    Montāžas tips : Surface Mount
    Iepakojums / lieta : DO-213AA (Glass)
    Piegādātāja ierīces pakete : DO-213AA (GL34)
    Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 175°C

    Jūs varētu arī interesēt
    • RURD660S9A-F085

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 6A DPAK. Rectifiers Ultrafast Power Rectifier, 6A 600V

    • RURD660S9A-F085P

      ON Semiconductor

      UFR DPAK PN 6A 200V. Rectifiers 6A, 600V Ultrafast Diodes

    • FFSD08120A

      ON Semiconductor

      1200V 8A SIC SBD. Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A SIC SBD

    • RURD460S9A

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Fast Diode 4a 600V

    • 1PS193,115

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 1PS193,135

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.