Infineon Technologies - FF300R12KE4PHOSA1

KEY Part #: K6534424

FF300R12KE4PHOSA1 Cenas (USD) [694gab krājumi]

  • 1 pcs$66.94239

Daļas numurs:
FF300R12KE4PHOSA1
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
MOD IGBT MED PWR 62MM-1.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - SCR, Diodes - tilta taisngrieži, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tiristori - SCR - moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no and Tranzistori - īpašam nolūkam ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies FF300R12KE4PHOSA1 electronic components. FF300R12KE4PHOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF300R12KE4PHOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF300R12KE4PHOSA1 Produkta atribūti

Daļas numurs : FF300R12KE4PHOSA1
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : MOD IGBT MED PWR 62MM-1
Sērija : C
Daļas statuss : Active
IGBT tips : Trench Field Stop
Konfigurācija : Half Bridge Inverter
Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 1200V
Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : 300A
Jauda - maks : -
Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : 2.15V @ 15V, 300A
Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : 5mA
Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : 19nF @ 25V
Ievade : Standard
NTC termistors : No
Darbības temperatūra : -40°C ~ 150°C
Montāžas tips : Chassis Mount
Iepakojums / lieta : Module
Piegādātāja ierīces pakete : Module

Jūs varētu arī interesēt
  • GA400TD25S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT FAST 250V 400A INT-A-PAK.

  • CPV364M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 15A IMS-2.

  • CPV363M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 9A IMS-2.

  • GA200SA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT UFAST 600V 100A SOT227.

  • GA200SA60S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT STD 600V 100A SOT227.

  • STGE50NB60HD

    STMicroelectronics

    IGBT N-CHAN 600V 50A ISOTOP.