Microsemi Corporation - JANTXV1N6630

KEY Part #: K6446709

Ģimenes kategorijas:: KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tiristori - SCR, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - RF and Strāvas draivera moduļi ...

Konkurences priekšrocības:: We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N6630 electronic components. JANTXV1N6630 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N6630, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Daļas numurs : JANTXV1N6630

Ražotājs : Microsemi Corporation

Apraksts : DIODE GEN PURP 900V 1.4A AXIAL

Sērija : Military, MIL-PRF-19500/590

Daļas statuss : Active

Diodes tips : Standard

Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 900V

Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 1.4A

Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 1.4A

Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 50ns

Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 2µA @ 900V

Kapacitāte @ Vr, F : -

Montāžas tips : Through Hole

Iepakojums / lieta : E, Axial

Piegādātāja ierīces pakete : E-PAK

Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 150°C

Jūs varētu arī interesēt

IDB18E120ATMA1

Infineon Technologies

DIODE GEN PURP 1.2KV 31A TO263-3.
VS-30CPF02PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC.
VS-80EPF02PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 80A TO247AC.
VS-80EPF04PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 80A TO247AC.
MBR1650HE3/45

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE SCHOTTKY 50V 16A TO220AB.
SRP600J-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 600V 6A P600.

Karstās daļas