Taiwan Semiconductor Corporation - ES3J M6G

KEY Part #: K6457592

ES3J M6G Cenas (USD) [576900gab krājumi]

  • 1 pcs$0.06411

Daļas numurs:
ES3J M6G
Ražotājs:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tiristori - SCR, Diodes - taisngrieži - masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - IGBT - moduļi and Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji) ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation ES3J M6G electronic components. ES3J M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES3J M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ES3J M6G Produkta atribūti

Daļas numurs : ES3J M6G
Ražotājs : Taiwan Semiconductor Corporation
Apraksts : DIODE GEN PURP 600V 3A DO214AB
Sērija : -
Daļas statuss : Not For New Designs
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 600V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 3A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.7V @ 3A
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 35ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 10µA @ 600V
Kapacitāte @ Vr, F : 30pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : DO-214AB, SMC
Piegādātāja ierīces pakete : DO-214AB (SMC)
Darba temperatūra - krustojums : -55°C ~ 150°C

Jūs varētu arī interesēt
  • BAS70-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23.

  • CMDSH05-4 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD323. Schottky Diodes & Rectifiers 40V Low Vf Schottky 500mA If 250mW

  • GL41YHE3/96

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • RGL34KHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • GL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34AHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM