Microsemi Corporation - APTCV60HM70RT3G

KEY Part #: K6533684

Ģimenes kategorijas:: KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - programmējams atvienojums, Diodes - RF, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - JFET, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi and Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no ...

Konkurences priekšrocības:: We specialize in Microsemi Corporation APTCV60HM70RT3G electronic components. APTCV60HM70RT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTCV60HM70RT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Daļas numurs : APTCV60HM70RT3G

Ražotājs : Microsemi Corporation

Apraksts : POWER MOD FULL BRIDGE SP3

Sērija : -

Daļas statuss : Obsolete

IGBT tips : Trench Field Stop

Konfigurācija : Full Bridge Inverter

Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 600V

Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : 50A

Jauda - maks : 250W

Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : 1.9V @ 15V, 50A

Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : 250µA

Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : 3.15nF @ 25V

Ievade : Single Phase Bridge Rectifier

NTC termistors : Yes

Darbības temperatūra : -40°C ~ 175°C (TJ)

Montāžas tips : Chassis Mount

Iepakojums / lieta : SP3

Piegādātāja ierīces pakete : SP3

Jūs varētu arī interesēt

VS-GT175DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 288A 1087W SOT-227.
VS-CPV363M4KPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.
VS-GT100NA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100LA120UX

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 134A 463W SOT-227.
VS-GT100DA60U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 600V 184A 577W SOT-227.
VS-GT100DA120U

Vishay Semiconductor Diodes Division

IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.

Karstās daļas