Daļas numurs :
GSID080A120B1A5
Ražotājs :
Global Power Technologies Group
Apraksts :
SILICON IGBT MODULES
Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) :
1200V
Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) :
160A
Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic :
2V @ 15V, 80A
Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) :
1mA
Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce :
7nF @ 25V
Darbības temperatūra :
-40°C ~ 150°C
Montāžas tips :
Chassis Mount
Iepakojums / lieta :
Module
Piegādātāja ierīces pakete :
Module