Vishay Siliconix - SIHG22N60AEL-GE3

KEY Part #: K6397603

SIHG22N60AEL-GE3 Cenas (USD) [18373gab krājumi]

  • 1 pcs$2.24316

Daļas numurs:
SIHG22N60AEL-GE3
Ražotājs:
Vishay Siliconix
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CHAN 600V.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - moduļi, Diodes - RF, Diodes - taisngrieži - masīvi, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - programmējams atvienojums and Tiristori - SCR ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Siliconix SIHG22N60AEL-GE3 electronic components. SIHG22N60AEL-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHG22N60AEL-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHG22N60AEL-GE3 Produkta atribūti

Daļas numurs : SIHG22N60AEL-GE3
Ražotājs : Vishay Siliconix
Apraksts : MOSFET N-CHAN 600V
Sērija : EL
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 600V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 21A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 82nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±30V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 1757pF @ 100V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 208W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete : TO-247AC
Iepakojums / lieta : TO-247-3

Jūs varētu arī interesēt
  • FDD86250

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 150V 8A DPAK.

  • FDD9407L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 100A.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • TK25A60X5,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 600V 25A TO-220SIS.

  • TK290A65Y,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 11.5A TO220SIS.

  • TK22A10N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 52A TO-220.