Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Integrētās shēmas (IC)
  4. Atmiņas
  5. TH58NVG2S3HBAI4

Toshiba Memory America, Inc. - TH58NVG2S3HBAI4

KEY Part #: K937269

TH58NVG2S3HBAI4 Cenas (USD) [16322gab krājumi]

  • 1 pcs$2.80726
Daļas numurs:
TH58NVG2S3HBAI4
Ražotājs:
Toshiba Memory America, Inc.
Detalizēts apraksts:
4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 EEPR. NAND Flash 3.3V 4Gb 24nm SLC NAND (EEPROM)
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: PMIC - sprieguma regulatori - īpašam nolūkam, Pulkstenis / laiks - pulksteņi reālā laikā, PMIC - sprieguma regulatori - lineāra + komutācija, Iegulti - CPLD (sarežģītas programmējamas loģiskās, Saskarne - signāla terminators, PMIC - akumulatoru lādētāji, Saskarne - moduļi and PMIC - sprieguma regulatori - līdzstrāvas līdzstrā ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Toshiba Memory America, Inc. TH58NVG2S3HBAI4 electronic components. TH58NVG2S3HBAI4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TH58NVG2S3HBAI4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TH58NVG2S3HBAI4 Produkta atribūti

Daļas numurs : TH58NVG2S3HBAI4
Ražotājs : Toshiba Memory America, Inc.
Apraksts : 4GB SLC NAND 24NM BGA 9X11 EEPR
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Atmiņas tips : Non-Volatile
Atmiņas formāts : FLASH
Tehnoloģijas : FLASH - NAND (SLC)
Atmiņas lielums : 4Gb (512M x 8)
Pulksteņa frekvence : -
Rakstīt cikla laiku - vārds, lappuse : 25ns
Piekļuves laiks : -
Atmiņas interfeiss : Parallel
Spriegums - padeve : 2.7V ~ 3.6V
Darbības temperatūra : -40°C ~ 85°C (TA)
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : 63-BGA
Piegādātāja ierīces pakete : 63-BGA (9x11)

Jaunākās ziņas

Toshiba Memory THGAF Managed NAND Flash Memories
Toshiba Memory FlashAir™ W-04 Wireless SD Cards
Toshiba Memory THGAM e-MMC™ NAND Flash Memory
Jūs varētu arī interesēt
  • MR25H10MDFR

    Everspin Technologies Inc.

    IC RAM 1M SPI 40MHZ 8DFN. NVRAM 1Mb 3.3V 128Kx8 SPI

  • AT28C256E-15SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • AT28C256F-15SU

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 256K FAST PROG SDP- 150NS IND TEMP

  • AT28C256F-15SU-T

    Microchip Technology

    IC EEPROM 256K PARALLEL 28SOIC. EEPROM 150NS, SOIC, IND TEMP, GREEN

  • IS61NLP25618EC-200TQLI-TR

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 4Mb, 3.3v, 200Mhz 256K x 18 Sync SRAM

  • MT29F2G08ABAEAH4-AITX:E TR

    Micron Technology Inc.

    IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA. NAND Flash SLC 2G 256MX8 FBGA

Karstās daļas