Vishay Siliconix - SQJ560EP-T1_GE3

KEY Part #: K6523030

SQJ560EP-T1_GE3 Cenas (USD) [144991gab krājumi]

  • 1 pcs$0.25510

Daļas numurs:
SQJ560EP-T1_GE3
Ražotājs:
Vishay Siliconix
Detalizēts apraksts:
MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tiristori - SCR, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - JFET, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Diodes - RF, Tiristori - DIAC, SIDAC and Tiristori - TRIAC ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Siliconix SQJ560EP-T1_GE3 electronic components. SQJ560EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ560EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQJ560EP-T1_GE3 Produkta atribūti

Daļas numurs : SQJ560EP-T1_GE3
Ražotājs : Vishay Siliconix
Apraksts : MOSFET DUAL N P CH 60V PPAK SO-8
Sērija : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Daļas statuss : Active
FET tips : N and P-Channel
FET iezīme : Standard
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 60V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc), 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12 mOhm @ 10A, 10V, 52.6 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 2.5V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 30nC @ 10V, 45nC @ 10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 1650pF @ 25V
Jauda - maks : 34W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : PowerPAK® SO-8 Dual
Piegādātāja ierīces pakete : PowerPAK® SO-8 Dual

Jūs varētu arī interesēt
  • IRF5810TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

  • FDY2000PZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.35A SOT-563F.

  • BSL308CH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.

  • ZXMN2AM832TA

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP.

  • DMN2019UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8.

  • DMG8822UTS-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET 2N-CH 20V 4.9A 8TSSOP.