Daļas numurs :
SIHJ10N60E-T1-GE3
Ražotājs :
Vishay Siliconix
Apraksts :
MOSFET N-CH 600V 10A POWERPAKSO
Tehnoloģijas :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) :
600V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C :
10A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
360 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID :
4.5V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs :
50nC @ 10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds :
784pF @ 100V
Jaudas izkliede (maks.) :
89W (Tc)
Darbības temperatūra :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips :
Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete :
PowerPAK® SO-8
Iepakojums / lieta :
8-PowerTDFN