Ražotājs :
ON Semiconductor
Apraksts :
MOSFET P-CH 30V 3.4A 8SOIC
Tehnoloģijas :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) :
30V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C :
3.4A (Ta)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
130 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID :
3V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs :
3.5nC @ 5V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds :
205pF @ 15V
Jaudas izkliede (maks.) :
2.5W (Ta)
Darbības temperatūra :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips :
Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete :
8-SOIC
Iepakojums / lieta :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)