Microsemi Corporation - JANTXV1N914UR

KEY Part #: K6442371

[3156gab krājumi]


    Daļas numurs:
    JANTXV1N914UR
    Ražotājs:
    Microsemi Corporation
    Detalizēts apraksts:
    DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Diodes - taisngrieži - masīvi, Tiristori - SCR - moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - IGBT - moduļi, Strāvas draivera moduļi and Tiristori - DIAC, SIDAC ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in Microsemi Corporation JANTXV1N914UR electronic components. JANTXV1N914UR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTXV1N914UR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JANTXV1N914UR Produkta atribūti

    Daļas numurs : JANTXV1N914UR
    Ražotājs : Microsemi Corporation
    Apraksts : DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA
    Sērija : Military, MIL-PRF-19500/116
    Daļas statuss : Discontinued at Digi-Key
    Diodes tips : Standard
    Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 75V
    Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 200mA
    Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.2V @ 50mA
    Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 20ns
    Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 500nA @ 75V
    Kapacitāte @ Vr, F : 2.8pF @ 1.5V, 1MHz
    Montāžas tips : Surface Mount
    Iepakojums / lieta : DO-213AA
    Piegādātāja ierīces pakete : DO-213AA
    Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 175°C

    Jūs varētu arī interesēt
    • RJU6052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/10A/25ns Trr/TO-252

    • RJU4352SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 430V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 430V/20A/23ns Trr/TO-252

    • RJU3052SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 360V 20A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 360V/20A/40ns Trr/TO-252

    • UD0506T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

    • RD0306T-TL-H

      ON Semiconductor

      DIODE GEN PURP 600V 3A TPFA.

    • MBRB7H60HE3/81

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 7.5A TO263AB.