GeneSiC Semiconductor - MURTA20020

KEY Part #: K6468487

Detalizēts apraksts:: DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER. Rectifiers 200V 200A Si Super Fast Recovery

Ģimenes kategorijas:: KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - SCR - moduļi, Diodes - taisngrieži - masīvi, Tiristori - DIAC, SIDAC, Diodes - Zener - Single, Tiristori - SCR, Diodes - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi and Tiristori - TRIAC ...

Konkurences priekšrocības:: We specialize in GeneSiC Semiconductor MURTA20020 electronic components. MURTA20020 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MURTA20020, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Daļas numurs : MURTA20020

Ražotājs : GeneSiC Semiconductor

Apraksts : DIODE GEN PURP 200V 100A 3 TOWER

Sērija : -

Daļas statuss : Active

Diodes konfigurācija : 1 Pair Common Cathode

Diodes tips : Standard

Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 200V

Pašreizējais - vidēji rektificēts (Io) (par diodi) : 100A

Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 100A

Ātrums : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reversās atveseļošanās laiks (trr) : -

Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 25µA @ 200V

Darba temperatūra - krustojums : -55°C ~ 150°C

Montāžas tips : Chassis Mount

Iepakojums / lieta : Three Tower

Piegādātāja ierīces pakete : Three Tower

Jūs varētu arī interesēt

LQA10N150C

Power Integrations

DIODE CC 150V 5A DUAL TO252. Rectifiers 150V, Dual, 5A Ultra-Low Qrr Rect
BF1212WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL GATE 6V SOT343R.
BF1217WR,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH DUAL SOT343R.
MMBF5485

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 10MA SOT23.
MMBFJ211

ON Semiconductor

JFET N-CH 25V 20MA SOT23.
MMBF4416

ON Semiconductor

JFET N-CH 30V 15MA SOT23.

Karstās daļas