IXYS - IXFN44N60

KEY Part #: K6402635

IXFN44N60 Cenas (USD) [3195gab krājumi]

  • 1 pcs$14.30840
  • 10 pcs$14.23721

Daļas numurs:
IXFN44N60
Ražotājs:
IXYS
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 600V 44A SOT-227B.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tiristori - SCR - moduļi, Diodes - Zener - masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi and Tranzistori - FET, MOSFET - RF ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in IXYS IXFN44N60 electronic components. IXFN44N60 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN44N60, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN44N60 Produkta atribūti

Daļas numurs : IXFN44N60
Ražotājs : IXYS
Apraksts : MOSFET N-CH 600V 44A SOT-227B
Sērija : HiPerFET™
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 600V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 44A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4.5V @ 8mA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 330nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 8900pF @ 25V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 600W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Chassis Mount
Piegādātāja ierīces pakete : SOT-227B
Iepakojums / lieta : SOT-227-4, miniBLOC

Jūs varētu arī interesēt
  • BS170PSTOB

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • GP2M005A060CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 600V 4.2A DPAK.

  • GP2M005A050CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 500V 4.5A DPAK.

  • GP1M016A025CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.

  • GP1M008A050CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.

  • GP1M007A065CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK.