Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi
  5. APTM100H18FG

Microsemi Corporation - APTM100H18FG

KEY Part #: K6522677

APTM100H18FG Cenas (USD) [437gab krājumi]

  • 1 pcs$106.50367
  • 100 pcs$105.97380
Daļas numurs:
APTM100H18FG
Ražotājs:
Microsemi Corporation
Detalizēts apraksts:
MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tranzistori - FET, MOSFET - RF and Diodes - tilta taisngrieži ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Microsemi Corporation APTM100H18FG electronic components. APTM100H18FG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM100H18FG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTM100H18FG Produkta atribūti

Daļas numurs : APTM100H18FG
Ražotājs : Microsemi Corporation
Apraksts : MOSFET 4N-CH 1000V 43A SP6
Sērija : -
Daļas statuss : Active
FET tips : 4 N-Channel (H-Bridge)
FET iezīme : Standard
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 1000V (1kV)
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 43A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 210 mOhm @ 21.5A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 5V @ 5mA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 372nC @ 10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 10400pF @ 25V
Jauda - maks : 780W
Darbības temperatūra : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Chassis Mount
Iepakojums / lieta : SP6
Piegādātāja ierīces pakete : SP6

Jaunākās ziņas

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Jūs varētu arī interesēt
  • SI3585CDV-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP.

  • FDG6332C-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 20V SC70-6.

  • FDG8842CZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 30V/25V SC70-6.

  • FDG6308P

    ON Semiconductor

    MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6.

  • FDG6317NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SC70-6.

  • FDG8850NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 0.75A SC70-6.

Karstās daļas