IXYS - IXTY2N65X2

KEY Part #: K6394655

IXTY2N65X2 Cenas (USD) [72608gab krājumi]

  • 1 pcs$0.59533
  • 50 pcs$0.59236

Daļas numurs:
IXTY2N65X2
Ražotājs:
IXYS
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - Masīvi, Diodes - RF, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Diodes - tilta taisngrieži, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tiristori - TRIAC, Tiristori - DIAC, SIDAC and Tiristori - SCR ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in IXYS IXTY2N65X2 electronic components. IXTY2N65X2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY2N65X2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTY2N65X2 Produkta atribūti

Daļas numurs : IXTY2N65X2
Ražotājs : IXYS
Apraksts : MOSFET N-CH 650V 2A X2 TO-252
Sērija : -
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 650V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 2A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 5V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 4.3nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±30V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 180pF @ 25V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 55W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : TO-252
Iepakojums / lieta : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63