Vishay Siliconix - SIR840DP-T1-GE3

KEY Part #: K6407810

[844gab krājumi]


    Daļas numurs:
    SIR840DP-T1-GE3
    Ražotājs:
    Vishay Siliconix
    Detalizēts apraksts:
    MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Diodes - Zener - masīvi and Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in Vishay Siliconix SIR840DP-T1-GE3 electronic components. SIR840DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR840DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SIR840DP-T1-GE3 Produkta atribūti

    Daļas numurs : SIR840DP-T1-GE3
    Ražotājs : Vishay Siliconix
    Apraksts : MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8
    Sērija : -
    Daļas statuss : Obsolete
    FET tips : N-Channel
    Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
    Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 30V
    Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : -
    Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : -
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
    Vgs (th) (Maks.) @ ID : -
    Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : -
    VG (maksimāli) : -
    Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : -
    FET iezīme : -
    Jaudas izkliede (maks.) : -
    Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Montāžas tips : Surface Mount
    Piegādātāja ierīces pakete : PowerPAK® SO-8
    Iepakojums / lieta : PowerPAK® SO-8

    Jūs varētu arī interesēt