Global Power Technologies Group - GSID200A120S5C1

KEY Part #: K6532474

GSID200A120S5C1 Cenas (USD) [494gab krājumi]

  • 1 pcs$93.86639
  • 10 pcs$89.33491
  • 25 pcs$86.31392

Daļas numurs:
GSID200A120S5C1
Ražotājs:
Global Power Technologies Group
Detalizēts apraksts:
IGBT MODULE 1200V 335A.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Diodes - tilta taisngrieži, Tranzistori - programmējams atvienojums, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - JFET and Strāvas draivera moduļi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Global Power Technologies Group GSID200A120S5C1 electronic components. GSID200A120S5C1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GSID200A120S5C1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GSID200A120S5C1 Produkta atribūti

Daļas numurs : GSID200A120S5C1
Ražotājs : Global Power Technologies Group
Apraksts : IGBT MODULE 1200V 335A
Sērija : -
Daļas statuss : Active
IGBT tips : -
Konfigurācija : Three Phase Inverter
Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 1200V
Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : 335A
Jauda - maks : -
Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : 2.1V @ 15V, 200A
Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : 1mA
Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : 22.4nF @ 25V
Ievade : Standard
NTC termistors : Yes
Darbības temperatūra : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Chassis Mount
Iepakojums / lieta : Module
Piegādātāja ierīces pakete : Module

Jūs varētu arī interesēt
  • GA100SICP12-227

    GeneSiC Semiconductor

    SIC CO-PACK SJT/RECT 100A 1.2KV.

  • VS-ENQ030L120S

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 1200V 61A 216W EMIPAK-1B. Rectifiers 30A Neutral Point Clamp Topology

  • CPV362M4F

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 8.8A IMS-2.

  • A2C35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK2.

  • A2C25S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 25A ACEPACK2.

  • A1P35S12M3

    STMicroelectronics

    IGBT TRENCH 1200V 35A ACEPACK1.