Infineon Technologies - IRF7103QTRPBF

KEY Part #: K6524280

[3885gab krājumi]


    Daļas numurs:
    IRF7103QTRPBF
    Ražotājs:
    Infineon Technologies
    Detalizēts apraksts:
    MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Strāvas draivera moduļi, Diodes - taisngrieži - masīvi, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Diodes - RF, Tiristori - TRIAC, Diodes - Zener - Single, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi and Diodes - taisngrieži - vienreizēji ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in Infineon Technologies IRF7103QTRPBF electronic components. IRF7103QTRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7103QTRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IRF7103QTRPBF Produkta atribūti

    Daļas numurs : IRF7103QTRPBF
    Ražotājs : Infineon Technologies
    Apraksts : MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
    Sērija : HEXFET®
    Daļas statuss : Discontinued at Digi-Key
    FET tips : 2 N-Channel (Dual)
    FET iezīme : Standard
    Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 50V
    Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 3A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 3A, 10V
    Vgs (th) (Maks.) @ ID : 3V @ 250µA
    Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 15nC @ 10V
    Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 255pF @ 25V
    Jauda - maks : 2.4W
    Darbības temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Montāžas tips : Surface Mount
    Iepakojums / lieta : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Piegādātāja ierīces pakete : 8-SO