Microsemi Corporation - APTGF50VDA60T3G

KEY Part #: K6533713

[4333gab krājumi]


    Daļas numurs:
    APTGF50VDA60T3G
    Ražotājs:
    Microsemi Corporation
    Detalizēts apraksts:
    POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3.
    Manufacturer's standard lead time:
    Noliktavā
    Glabāšanas laiks:
    Viens gads
    Čips no:
    Honkonga
    RoHS:
    Apmaksas veids:
    Sūtīšanas veids:
    Ģimenes kategorijas:
    KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tiristori - SCR - moduļi, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Diodes - Zener - masīvi and Tiristori - TRIAC ...
    Konkurences priekšrocības:
    We specialize in Microsemi Corporation APTGF50VDA60T3G electronic components. APTGF50VDA60T3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTGF50VDA60T3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTGF50VDA60T3G Produkta atribūti

    Daļas numurs : APTGF50VDA60T3G
    Ražotājs : Microsemi Corporation
    Apraksts : POWER MOD IGBT NPT DL BOOST SP3
    Sērija : -
    Daļas statuss : Obsolete
    IGBT tips : NPT
    Konfigurācija : Dual Boost Chopper
    Spriegums - kolektora emitētāja sadalījums (maks.) : 600V
    Pašreizējais - kolekcionārs (Ic) (maksimāli) : 65A
    Jauda - maks : 250W
    Vce (ieslēgts) (Max) @ Vge, Ic : 2.45V @ 15V, 50A
    Pašreizējais - kolekcionāra izslēgšana (maks.) : 250µA
    Ieejas kapacitāte (Cies) @ Vce : 2.2nF @ 25V
    Ievade : Standard
    NTC termistors : Yes
    Darbības temperatūra : -
    Montāžas tips : Chassis Mount
    Iepakojums / lieta : SP3
    Piegādātāja ierīces pakete : SP3

    Jūs varētu arī interesēt
    • VS-CPV363M4KPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

    • VS-GT100DA60U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 184A 577W SOT-227.

    • VS-GT100DA120U

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 1200V 258A 893W SOT-227.

    • VS-GB75SA120UP

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MODULE IGBT SOT-227.

    • VS-GB70NA60UF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      IGBT 600V 111A 447W SOT-227.

    • VS-GB75DA120UP

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      MODULE IGBT SOT-227.