Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi
  5. EPC2029

EPC - EPC2029

KEY Part #: K6411852

EPC2029 Cenas (USD) [23567gab krājumi]

  • 1 pcs$1.93319
  • 500 pcs$1.92357
Daļas numurs:
EPC2029
Ražotājs:
EPC
Detalizēts apraksts:
GANFET TRANS 80V 31A BUMPED DIE.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Strāvas draivera moduļi, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tiristori - TRIAC, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tiristori - SCR - moduļi and Diodes - Zener - Single ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in EPC EPC2029 electronic components. EPC2029 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2029, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

EPC2029 Produkta atribūti

Daļas numurs : EPC2029
Ražotājs : EPC
Apraksts : GANFET TRANS 80V 31A BUMPED DIE
Sērija : eGaN®
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : GaNFET (Gallium Nitride)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 80V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 48A (Ta)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 mOhm @ 30A, 5V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 2.5V @ 12mA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 13nC @ 5V
VG (maksimāli) : +6V, -4V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 1410pF @ 40V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : -
Darbības temperatūra : -40°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : Die
Iepakojums / lieta : Die
Jūs varētu arī interesēt
  • DMN3026LVT-7

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-SOT26.

  • ZVN2106A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 450MA TO92-3.

  • IRFR7546TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 71A DPAK.

  • IRFR4615TRLPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 33A DPAK.

  • IRLR8113TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 94A DPAK.

  • IRFR12N25DPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 250V 14A DPAK.

Karstās daļas