Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Tranzistori - FET, MOSFET - RF
  5. BLP8G05S-200Y

Ampleon USA Inc. - BLP8G05S-200Y

KEY Part #: K6465790

BLP8G05S-200Y Cenas (USD) [2013gab krājumi]

  • 1 pcs$25.83715
  • 100 pcs$25.70861
Daļas numurs:
BLP8G05S-200Y
Ražotājs:
Ampleon USA Inc.
Detalizēts apraksts:
RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Diodes - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - IGBT - moduļi and Tiristori - TRIAC ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Ampleon USA Inc. BLP8G05S-200Y electronic components. BLP8G05S-200Y can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BLP8G05S-200Y, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BLP8G05S-200Y Produkta atribūti

Daļas numurs : BLP8G05S-200Y
Ražotājs : Ampleon USA Inc.
Apraksts : RF FET LDMOS 65V 21DB SOT11382
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Tranzistora tips : LDMOS (Dual), Common Source
Biežums : 440MHz
Iegūt : 21dB
Spriegums - pārbaude : 28V
Pašreizējais vērtējums : -
Trokšņa attēls : -
Pašreizējā - pārbaude : 2mA
Jauda - jauda : 210W
Spriegums - Nomināls : 65V
Iepakojums / lieta : SOT-1138-2
Piegādātāja ierīces pakete : 4-HSOPF
Jūs varētu arī interesēt
  • MMBFJ310

    ON Semiconductor

    RF MOSFET N-CH JFET 10V SOT23.

  • MMBF5484

    ON Semiconductor

    JFET N-CH 25V 5MA SOT23.

  • AFM906NT1

    NXP USA Inc.

    WIDEBAND AIRFAST RF POWER LDMOS.

  • A2T27S007NT1

    NXP USA Inc.

    AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO.

  • AFM907NT1

    NXP USA Inc.

    RF MOSFET LDMOS 7.5V 10-DFN.

  • MHT1108NT1

    NXP USA Inc.

    RF POWER LDMOS TRANSISTOR FOR CO.

Karstās daļas