Vishay Siliconix - IRFUC20PBF

KEY Part #: K6393023

IRFUC20PBF Cenas (USD) [55666gab krājumi]

  • 1 pcs$0.61461
  • 10 pcs$0.54604
  • 100 pcs$0.43156
  • 500 pcs$0.31659
  • 1,000 pcs$0.24994

Daļas numurs:
IRFUC20PBF
Ražotājs:
Vishay Siliconix
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Strāvas draivera moduļi, Diodes - RF, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Diodes - tilta taisngrieži, Diodes - Zener - masīvi, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - īpašam nolūkam and Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Siliconix IRFUC20PBF electronic components. IRFUC20PBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFUC20PBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFUC20PBF Produkta atribūti

Daļas numurs : IRFUC20PBF
Ražotājs : Vishay Siliconix
Apraksts : MOSFET N-CH 600V 2A I-PAK
Sērija : -
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 600V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 2A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.4 Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 18nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 350pF @ 25V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 2.5W (Ta), 42W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete : TO-251AA
Iepakojums / lieta : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA