Infineon Technologies - BAS116E6433HTMA1

KEY Part #: K6458665

BAS116E6433HTMA1 Cenas (USD) [3737866gab krājumi]

  • 1 pcs$0.01160
  • 10,000 pcs$0.01154

Daļas numurs:
BAS116E6433HTMA1
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Strāvas draivera moduļi, Tiristori - DIAC, SIDAC, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Tiristori - SCR, Tranzistori - JFET, Tranzistori - IGBT - Masīvi and Diodes - Zener - Single ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies BAS116E6433HTMA1 electronic components. BAS116E6433HTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS116E6433HTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS116E6433HTMA1 Produkta atribūti

Daļas numurs : BAS116E6433HTMA1
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3
Sērija : -
Daļas statuss : Last Time Buy
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 80V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 250mA (DC)
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.25V @ 150mA
Ātrums : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 1.5µs
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 5nA @ 75V
Kapacitāte @ Vr, F : 2pF @ 0V, 1MHz
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Piegādātāja ierīces pakete : SOT-23-3
Darba temperatūra - krustojums : 150°C (Max)

Jūs varētu arī interesēt
  • BAL74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA

  • BAT54T

    ON Semiconductor

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE

  • BAS21E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode

  • BAS116E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode

  • BAR74E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3.

  • BAL99E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode