BAS21E6433HTMA1 Cenas (USD) [3658896gab krājumi]
- 1 pcs$0.01110
- 10,000 pcs$0.01105
- Daļas numurs:
- BAS21E6433HTMA1
- Ražotājs:
- Infineon Technologies
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - tilta taisngrieži, Tranzistori - IGBT - moduļi, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Diodes - RF, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep and Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Infineon Technologies BAS21E6433HTMA1 electronic components. BAS21E6433HTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS21E6433HTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BAS21E6433HTMA1 Produkta atribūti
Daļas numurs :
BAS21E6433HTMA1
Ražotājs :
Infineon Technologies
Apraksts :
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23
Sērija :
-
Daļas statuss :
Last Time Buy
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
200V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
250mA (DC)
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.25V @ 200mA
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
50ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
100nA @ 200V
Kapacitāte @ Vr, F :
5pF @ 0V, 1MHz
Montāžas tips :
Surface Mount
Iepakojums / lieta :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Piegādātāja ierīces pakete :
SOT-23-3
Darba temperatūra - krustojums :
150°C (Max)
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
BAL74E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 50V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode 250mA
-
BAT54T
ON Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT523. Schottky Diodes & Rectifiers 0.2A,30V,Surf Mt SCHOTTKY Barr DIODE
-
BAS21E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 200V 250MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Switch Diode
-
BAS116E6433HTMA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Low Leakage Diode
-
-
BAL99E6327HTSA1
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Tuning Diode
Karstās daļas
- BYV60W-600PQ
- 1N5821-A
- 1N4007-N-2-2-BP
- 1N6763
- 1N6843
- JANTX1N6843CCU3
- IDK03G65C5XTMA1
- MBRS3201PT3G
- GDP30P120B
- VS-6TQ035-N3
- VS-10ETF02STRLPBF
- V30120SHM3/4W
- RGP10KHM3/54
- S42160
- SB10-03A2-BT
- 1N3909A
- MBRB1050HE3/45
- S5GHE3/57T
- STTH5BCF060
- SRP300K-E3/54
- 70UR60G BK R
- GP15BHE3/73
- MDO1200-22N1
- IDD10SG60CXTMA1
- 1N4001GP
- BAS21_ND87Z
- VS-30BQ040TRPBF
- VS-10TQ045SPBF
- RS1D/1
- 8ETX06STRL
- MA27D2700L
- 181NQ045
- VS-90SQ045
- MBR1045/45
- HER203-AP
- CDLL0.5A30
- STPSC12065D
- RB068M-60TR
- HS3A M6G
- 1N4002GP-E3/73