RMPG06D-E3/53 Cenas (USD) [615109gab krājumi]
- 1 pcs$0.06013
- 6,000 pcs$0.05450
- Daļas numurs:
- RMPG06D-E3/53
- Ražotājs:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GPP 1A 200V 150NS MPG06. Rectifiers 200 Volt 1.0A 150ns 40A IFSM Trim Leads
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Diodes - taisngrieži - masīvi, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tiristori - SCR - moduļi, Diodes - tilta taisngrieži, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi and Tiristori - TRIAC ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division RMPG06D-E3/53 electronic components. RMPG06D-E3/53 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RMPG06D-E3/53, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
RMPG06D-E3/53 Produkta atribūti
Daļas numurs :
RMPG06D-E3/53
Ražotājs :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :
DIODE GPP 1A 200V 150NS MPG06
Sērija :
Automotive, AEC-Q101
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
200V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
1A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.3V @ 1A
Ātrums :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
150ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
5µA @ 200V
Kapacitāte @ Vr, F :
6.6pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips :
Through Hole
Iepakojums / lieta :
MPG06, Axial
Piegādātāja ierīces pakete :
MPG06
Darba temperatūra - krustojums :
-55°C ~ 150°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
VS-60APF04-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 400V 60A TO247AC. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - TO-247-e3
-
BAV20 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
BAV19 A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
DIODE GEN PURP 100V 200MA DO35. Diodes - General Purpose, Power, Switching DO-35, -V 0.2A Swtch Diode/Array
-
-
-
Karstās daļas
- SS22SHE3_A/I
- 1N4001-N-2-3-AP
- 1N6910UTK2AS
- IRD3CH101DD6
- MBRH20020RL
- JANTXV1N3595AUR-1
- 1N5805
- UFR3020PF
- S3740
- CD214B-F2100
- 1N3910
- CDBM230-HF
- MBRB1650-E3/45
- US1AHE3/5AT
- S1PDHE3/85A
- S1AHE3/5AT
- CDBP0130R-G
- MPG06BHE3/54
- EGP30GHE3/54
- GPP60AHE3/73
- R9G21412CSOO
- V12P10HE3/86A
- 1N4936RL
- B240A-13
- RS1KB-13
- SD253N04S15PV
- VS-80SQ035
- S1M-26R2G
- SF13M-TP
- JANTX1N5711-1/TR
- 1N647UR-1
- DNA30E2200PC-TUB
- STPSC606D
- BYWB29-200-E3/81
- ES3A-E3/57T
- STTH2L06UFY
- EGL34GHE3_A/I
- RSX201VA-30TR
- RF05VA1STR
- BAS40-00-G3-08