Daļas numurs :
SI3853DV-T1-GE3
Ražotājs :
Vishay Siliconix
Apraksts :
MOSFET P-CH 20V 1.6A 6-TSOP
Tehnoloģijas :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) :
20V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C :
1.6A (Ta)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) :
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (Maks.) @ ID :
500mV @ 250µA (Min)
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs :
4nC @ 4.5V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds :
-
FET iezīme :
Schottky Diode (Isolated)
Jaudas izkliede (maks.) :
830mW (Ta)
Darbības temperatūra :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips :
Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete :
6-TSOP
Iepakojums / lieta :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6