IXYS - IXFX30N100Q2

KEY Part #: K6402699

IXFX30N100Q2 Cenas (USD) [3240gab krājumi]

  • 1 pcs$14.77587
  • 30 pcs$14.70236

Daļas numurs:
IXFX30N100Q2
Ražotājs:
IXYS
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - DIAC, SIDAC, Strāvas draivera moduļi, Tranzistori - JFET, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi and Tranzistori - IGBT - vienvietīgi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in IXYS IXFX30N100Q2 electronic components. IXFX30N100Q2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX30N100Q2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFX30N100Q2 Produkta atribūti

Daļas numurs : IXFX30N100Q2
Ražotājs : IXYS
Apraksts : MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247
Sērija : HiPerFET™
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 1000V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 30A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 5V @ 8mA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 186nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±30V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 8200pF @ 25V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 735W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete : PLUS247™-3
Iepakojums / lieta : TO-247-3

Jūs varētu arī interesēt
  • BS170PSTOB

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

  • DN2540N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3.

  • GP1M016A025CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 250V 16A DPAK.

  • GP1M008A050CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.

  • GP1M007A065CG

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK.

  • GP1M003A090C

    Global Power Technologies Group

    MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK.