Daļas numurs :
IRFBE30LPBF
Ražotājs :
Vishay Siliconix
Apraksts :
MOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262
Tehnoloģijas :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) :
800V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C :
4.1A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID :
4V @ 250µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs :
78nC @ 10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds :
1300pF @ 25V
Jaudas izkliede (maks.) :
125W (Tc)
Darbības temperatūra :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips :
Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete :
I2PAK
Iepakojums / lieta :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA