Infineon Technologies - IPB80N06S209ATMA2

KEY Part #: K6419418

IPB80N06S209ATMA2 Cenas (USD) [110838gab krājumi]

  • 1 pcs$0.33371
  • 1,000 pcs$0.31781

Daļas numurs:
IPB80N06S209ATMA2
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - programmējams atvienojums, Tranzistori - IGBT - moduļi, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tiristori - TRIAC, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi and Tranzistori - IGBT - Masīvi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies IPB80N06S209ATMA2 electronic components. IPB80N06S209ATMA2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB80N06S209ATMA2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB80N06S209ATMA2 Produkta atribūti

Daļas numurs : IPB80N06S209ATMA2
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Sērija : OptiMOS™
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 55V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 80A (Tc)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8.8 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4V @ 125µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 80nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 2360pF @ 25V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 190W (Tc)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 175°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : PG-TO263-3-2
Iepakojums / lieta : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Jūs varētu arī interesēt