Daļas numurs :
TK80S06K3L(T6L1,NQ
Ražotājs :
Toshiba Semiconductor and Storage
Apraksts :
MOSFET N-CH 60V 80A DPAK-3
Tehnoloģijas :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) :
60V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C :
80A (Ta)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) :
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.5 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID :
3V @ 1mA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs :
85nC @ 10V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds :
4200pF @ 10V
Jaudas izkliede (maks.) :
100W (Tc)
Darbības temperatūra :
175°C (TJ)
Montāžas tips :
Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete :
DPAK+
Iepakojums / lieta :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63