Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi
  5. GA06JT12-247

GeneSiC Semiconductor - GA06JT12-247

KEY Part #: K6412611

GA06JT12-247 Cenas (USD) [13386gab krājumi]

  • 1,260 pcs$4.76672
Daļas numurs:
GA06JT12-247
Ražotājs:
GeneSiC Semiconductor
Detalizēts apraksts:
TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Diodes - Zener - Single, Tiristori - SCR, Diodes - tilta taisngrieži, Tiristori - SCR - moduļi and Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in GeneSiC Semiconductor GA06JT12-247 electronic components. GA06JT12-247 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA06JT12-247, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GA06JT12-247 Produkta atribūti

Daļas numurs : GA06JT12-247
Ražotājs : GeneSiC Semiconductor
Apraksts : TRANS SJT 1200V 6A TO-247AB
Sērija : -
Daļas statuss : Obsolete
FET tips : -
Tehnoloģijas : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 1200V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 6A (Tc) (90°C)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 220 mOhm @ 6A
Vgs (th) (Maks.) @ ID : -
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : -
VG (maksimāli) : -
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : -
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : -
Darbības temperatūra : 175°C (TJ)
Montāžas tips : Through Hole
Piegādātāja ierīces pakete : TO-247AB
Iepakojums / lieta : TO-247-3
Jūs varētu arī interesēt
  • IRFS7437-7PPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN.

  • AUIRLS3114Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 40V 42A D2PAK.

  • IRFR825PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.

  • IRLR3714ZTRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 37A DPAK.

  • IRLR4343

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.

  • NDF10N60ZH

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP.

Karstās daļas