Infineon Technologies - IRF7853TRPBF

KEY Part #: K6420083

IRF7853TRPBF Cenas (USD) [158145gab krājumi]

  • 1 pcs$0.23388
  • 4,000 pcs$0.22451

Daļas numurs:
IRF7853TRPBF
Ražotājs:
Infineon Technologies
Detalizēts apraksts:
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Diodes - mainīga ietilpība (variācijas, aplauzēji), Strāvas draivera moduļi, Diodes - tilta taisngrieži, Tranzistori - JFET, Diodes - taisngrieži - masīvi and Tranzistori - FET, MOSFET - RF ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Infineon Technologies IRF7853TRPBF electronic components. IRF7853TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7853TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7853TRPBF Produkta atribūti

Daļas numurs : IRF7853TRPBF
Ražotājs : Infineon Technologies
Apraksts : MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
Sērija : HEXFET®
Daļas statuss : Active
FET tips : N-Channel
Tehnoloģijas : MOSFET (Metal Oxide)
Drenāža uz avota spriegumu (Vdss) : 100V
Strāva - Nepārtraukta aizplūšana (Id) @ 25 ° C : 8.3A (Ta)
Piedziņas spriegums (maksimālais ātrums ieslēgts, minimālais ātrums ieslēgts) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 8.3A, 10V
Vgs (th) (Maks.) @ ID : 4.9V @ 100µA
Vārtu maksa (Qg) (maksimāli) @ Vgs : 39nC @ 10V
VG (maksimāli) : ±20V
Ieejas kapacitāte (Ciss) (Max) @ Vds : 1640pF @ 25V
FET iezīme : -
Jaudas izkliede (maks.) : 2.5W (Ta)
Darbības temperatūra : -55°C ~ 150°C (TJ)
Montāžas tips : Surface Mount
Piegādātāja ierīces pakete : 8-SO
Iepakojums / lieta : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Jūs varētu arī interesēt