Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski

Ja jūsu atrašanās vieta nav norādīta sarakstā, lūdzu, atlasiet vienu no šīm iespējām:

polskiSvenskaespañolItaliaFrançaisEnglishDeutschFrançaisItaliaespañolPortuguês日本語한국의русскийMaoričeštinaSlovenskáΕλλάδαDanskEuskeraSuomiromânescíslenskaSvenskaMelayuالعربيةGaeilgeGalegoTürk diliKongeriketRepublika e ShqipërisëБеларусьEesti Vabariikಕನ್ನಡkannaḍalietuviųLatviešuAyitiසිංහලAzərbaycanภาษาไทยनेपालीtiếng ViệtPilipinoსაქართველოCambodiaپښتوТоҷикӣAfrikaansKiswahilimalaɡasʲفارسیతెలుగుpolski
  1. Mājas
  2. Produkti
  3. Diskrēti pusvadītāju izstrādājumi
  4. Diodes - taisngrieži - vienreizēji
  5. JAN1N5819UR-1/TR

Microsemi Corporation - JAN1N5819UR-1/TR

KEY Part #: K6452665

JAN1N5819UR-1/TR Cenas (USD) [7753gab krājumi]

  • 1 pcs$5.31550
Daļas numurs:
JAN1N5819UR-1/TR
Ražotājs:
Microsemi Corporation
Detalizēts apraksts:
DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Diodes - Zener - Single, Tiristori - TRIAC, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tiristori - SCR, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi and Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N5819UR-1/TR electronic components. JAN1N5819UR-1/TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N5819UR-1/TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N5819UR-1/TR Produkta atribūti

Daļas numurs : JAN1N5819UR-1/TR
Ražotājs : Microsemi Corporation
Apraksts : DIODE SCHOTTKY 45V 1A DO213AB
Sērija : Military, MIL-PRF-19500/586
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Schottky
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 45V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 1A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 490mV @ 1A
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : -
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 50µA @ 45V
Kapacitāte @ Vr, F : 70pF @ 5V, 1MHz
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : DO-213AB, MELF (Glass)
Piegādātāja ierīces pakete : DO-213AB (MELF, LL41)
Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 125°C

Jaunākās ziņas

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters
Jūs varētu arī interesēt
  • RRE04EA4DTR

    Rohm Semiconductor

    DIODE GEN PURP 400V 400MA TSMD5. Rectifiers Rectifier Diodes

  • C3D02065E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 650V 2A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers Schottky Diode 2A, 650V

  • BAS70E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3. Schottky Diodes & Rectifiers 70V 0.07A

  • V10WL45-M3/I

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 10A 45V DPAK.

  • VS-12EWH06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 12A TO252. Rectifiers 12A 600V 18ns Hyperfast

  • VS-15EWH06FN-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 15A DPAK. Rectifiers 15A 600V 22ns Hyperfast

Karstās daļas