Microsemi Corporation - JAN1N1190

KEY Part #: K6443762

JAN1N1190 Cenas (USD) [1608gab krājumi]

  • 1 pcs$32.30308
  • 100 pcs$32.14236

Daļas numurs:
JAN1N1190
Ražotājs:
Microsemi Corporation
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB. Rectifiers Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - taisngrieži - masīvi, Tiristori - SCR, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Diodes - RF, Diodes - tilta taisngrieži, Tranzistori - IGBT - moduļi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF and Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Microsemi Corporation JAN1N1190 electronic components. JAN1N1190 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN1N1190, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JAN1N1190 Produkta atribūti

Daļas numurs : JAN1N1190
Ražotājs : Microsemi Corporation
Apraksts : DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
Sērija : Military, MIL-PRF-19500/297
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 600V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 35A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.4V @ 110A
Ātrums : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : -
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 10µA @ 600V
Kapacitāte @ Vr, F : -
Montāžas tips : Chassis, Stud Mount
Iepakojums / lieta : DO-203AB, DO-5, Stud
Piegādātāja ierīces pakete : DO-5
Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 175°C

Jūs varētu arī interesēt
  • VS-8EWS08S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 8A TO252AA. Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3

  • VS-65PQ015PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 15V 65A TO247AC.

  • BAY80-TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35.

  • BAY80-TAP

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35.

  • VS-ETX1506FP-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP. Rectifiers 15A 600V Hyperfast 20ns

  • VS-ETL1506FP-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP. Rectifiers 15A 600V Ultrafast 210ns