1N5622C.TR Cenas (USD) [28168gab krājumi]
- 1 pcs$1.46312
- Daļas numurs:
- 1N5622C.TR
- Ražotājs:
- Semtech Corporation
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL.
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - tilta taisngrieži, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, iepriekš no, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi and Strāvas draivera moduļi ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Semtech Corporation 1N5622C.TR electronic components. 1N5622C.TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5622C.TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
1N5622C.TR Produkta atribūti
Daļas numurs :
1N5622C.TR
Ražotājs :
Semtech Corporation
Apraksts :
DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL
Sērija :
-
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Avalanche
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
1000V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
2A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 1A
Ātrums :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
2µs
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
500nA @ 1000V
Kapacitāte @ Vr, F :
23pF @ 5V, 1MHz
Montāžas tips :
Through Hole
Iepakojums / lieta :
Axial
Piegādātāja ierīces pakete :
Axial
Darba temperatūra - krustojums :
-65°C ~ 175°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
SB250-E3/73
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 2A 50V DO-41. Schottky Diodes & Rectifiers 2A, 50V, AXIAL, SCHOTTKY RECT
-
V12P6HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE SCHOTTKY 60V 12A TO277A. Schottky Diodes & Rectifiers 12A, 60V, SMPC AEC-Q101 Qualified
-
S4PDHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A. Rectifiers 4A, 200V, SMPC STD, SM Rect
-
AU2PJHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 600V 1.6A TO277A. Rectifiers 2A,600V, SMPC FER, Avalanche SM
-
AR4PG-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 400V 2A TO277A. Rectifiers 4A,400V,Fast RecoveryAvalanche SM
-
AS4PD-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE AVALANCHE 200V 2.4A TO277A. Rectifiers 4A 200V
Karstās daļas
- BYV29B-600PJ
- RL104-N-2-3-AP
- 1N3172A
- CMSH2-40M BK
- VI30120SGHM3/4W
- JAN1N1614R
- 1N4946GP-M3/54
- UES2605R
- CD214B-F3150
- SB340S-E3/54
- DSR01S30SC(TPL3)
- RGP02-16EHE3/53
- ES3GHE3/57T
- UF8CT-E3/4W
- S1DA-E3/5AT
- 1N4446_T50R
- HFA08TB60STRR
- PR3005-T
- PR2006G-T
- STTH20R04W
- SIDC73D170E6X1SA2
- CD214A-B240LF
- 10WQ045FN
- MA2711100L
- MMBD914-7
- 10ETF02STRL
- IRKE91/04A
- 30EPF12
- 20ETF02
- BAT42W-7
- SM4933A-TP
- FR154S-TP
- FR604-AP
- GIB1403-E3/81
- SE40PGHM3_A/H
- RN 1ZV
- CDBB3150-G
- PMEG2010AET,215
- 1N4005GPE-E3/54
- BAS16WF