GeneSiC Semiconductor - 1N1188A

KEY Part #: K6425039

Detalizēts apraksts:: DIODE GEN PURP 400V 40A DO5. Rectifiers 400V 40A Std. Recovery

Ģimenes kategorijas:: KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - programmējams atvienojums, Diodes - Zener - Single and Diodes - Zener - masīvi ...

Konkurences priekšrocības:: We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N1188A electronic components. 1N1188A can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N1188A, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

Daļas numurs : 1N1188A

Ražotājs : GeneSiC Semiconductor

Apraksts : DIODE GEN PURP 400V 40A DO5

Sērija : -

Daļas statuss : Active

Diodes tips : Standard

Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 400V

Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 40A

Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 40A

Ātrums : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reversās atveseļošanās laiks (trr) : -

Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 10µA @ 50V

Kapacitāte @ Vr, F : -

Montāžas tips : Chassis, Stud Mount

Iepakojums / lieta : DO-203AB, DO-5, Stud

Piegādātāja ierīces pakete : DO-5

Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 200°C

Jūs varētu arī interesēt

FGD5T120SH

ON Semiconductor

IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.
FGD3N60UNDF

ON Semiconductor

IGBT 600V 6A 60W DPAK.
BAS40E6433HTMA1

Infineon Technologies

DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
LXA06B600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr
QH05BZ600

Power Integrations

DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier
VS-20ETS08SPBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 800V 20A TO263AB.

Karstās daļas