Taiwan Semiconductor Corporation - S4M M6G

KEY Part #: K6457652

S4M M6G Cenas (USD) [604455gab krājumi]

  • 1 pcs$0.06119

Daļas numurs:
S4M M6G
Ražotājs:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 4A DO214AB.
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tiristori - SCR - moduļi, Diodes - Zener - masīvi, Diodes - Zener - Single, Diodes - taisngrieži - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - FET, MOSFET - RF, Tranzistori - JFET and Diodes - RF ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S4M M6G electronic components. S4M M6G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S4M M6G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S4M M6G Produkta atribūti

Daļas numurs : S4M M6G
Ražotājs : Taiwan Semiconductor Corporation
Apraksts : DIODE GEN PURP 4A DO214AB
Sērija : -
Daļas statuss : Not For New Designs
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : -
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 4A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.15V @ 4A
Ātrums : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 1.5µs
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 100µA @ 1000V
Kapacitāte @ Vr, F : 60pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : DO-214AB, SMC
Piegādātāja ierīces pakete : DO-214AB (SMC)
Darba temperatūra - krustojums : -55°C ~ 150°C

Jūs varētu arī interesēt
  • BAS70-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23.

  • GL41YHE3/96

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • RGL34KHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 500MA DO213. Rectifiers 800 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • GL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Rectifiers 100 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM

  • GL34AHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5 Amp 10 Amp IFSM