VS-10ETS12-M3 Cenas (USD) [50733gab krājumi]
- 1 pcs$0.77071
- 1,000 pcs$0.69506
- Daļas numurs:
- VS-10ETS12-M3
- Ražotājs:
- Vishay Semiconductor Diodes Division
- Detalizēts apraksts:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC. Rectifiers New Input Diodes - TO-220-e3
- Manufacturer's standard lead time:
- Noliktavā
- Glabāšanas laiks:
- Viens gads
- Čips no:
- Honkonga
- RoHS:
- Apmaksas veids:
-
- Sūtīšanas veids:
- Ģimenes kategorijas:
- KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep, Diodes - Zener - masīvi, Tiristori - DIAC, SIDAC, Diodes - taisngrieži - vienreizēji, Tranzistori - IGBT - Masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - RF and Tiristori - SCR ...
- Konkurences priekšrocības:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-10ETS12-M3 electronic components. VS-10ETS12-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-10ETS12-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-10ETS12-M3 Produkta atribūti
Daļas numurs :
VS-10ETS12-M3
Ražotājs :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts :
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A TO220AC
Sērija :
-
Daļas statuss :
Active
Diodes tips :
Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) :
1200V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) :
10A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If :
1.1V @ 10A
Ātrums :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) :
-
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr :
50µA @ 1200V
Kapacitāte @ Vr, F :
-
Montāžas tips :
Through Hole
Iepakojums / lieta :
TO-220-2
Piegādātāja ierīces pakete :
TO-220AC
Darba temperatūra - krustojums :
-40°C ~ 150°C
Jaunākās ziņas
Jūs varētu arī interesēt
-
VS-8EWS12STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWF10STR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 1KV 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWS12SLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODES - D-PAK-E3. Rectifiers 8A If; 800V,1200V Vr TO-252AA (DPAK)
-
VS-8EWS08STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-8EWS08STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 800V 8A D-PAK. Schottky Diodes & Rectifiers New Input Diodes - D-PAK-e3
-
VS-HFA04SD60SL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
DIODE GEN PURP 600V 4A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Hexfreds - D-PAK-e3
Karstās daļas
- IDD12SG60CXTMA2
- S1MFL RVG
- RGP10J-5025M3/73
- JAN1N1190
- R4260F
- R9G22011ASOO
- MURS120HE3/52T
- IDW12G65C5FKSA1
- SB040-E3/54
- NSRM30CM3T5G
- AR3PJHM3/86A
- VS-60CPF02PBF
- VS-150SQ035
- RGP02-14E-M3/73
- RS1GHE3/5AT
- RGP5020HE3/54
- SB160A-E3/73
- GP15KHE3/73
- 1N4937L-T
- MR7510-BP
- JAN1N6629US
- STTH40P03SFP
- BAS29_D87Z
- D4015L
- VS-12TQ040PBF
- SS16T3
- MBRB745
- RS3G-13
- 20ETS12S
- 1PS59SB20,115
- MBRM120ET1H
- ER1D-TP
- 1N4935-TP
- MUR110-AP
- STPS2H100UF
- RU 2V1
- SK56C M6G
- ESH2CHE3_A/I
- BA159GPE-E3/73
- LL4448-GS08