Taiwan Semiconductor Corporation - RS1KL RVG

KEY Part #: K6455779

RS1KL RVG Cenas (USD) [1467002gab krājumi]

  • 1 pcs$0.02521

Daļas numurs:
RS1KL RVG
Ražotājs:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA. Rectifiers 500ns 0.8A 800V Fs Recov Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Diodes - tilta taisngrieži, Tiristori - SCR - moduļi, Tiristori - SCR, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - IGBT - vienvietīgi, Diodes - taisngrieži - masīvi and Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation RS1KL RVG electronic components. RS1KL RVG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS1KL RVG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS1KL RVG Produkta atribūti

Daļas numurs : RS1KL RVG
Ražotājs : Taiwan Semiconductor Corporation
Apraksts : DIODE GEN PURP 800V 800MA SUBSMA
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 800V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 800mA
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.3V @ 800mA
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 500ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 5µA @ 800V
Kapacitāte @ Vr, F : 10pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : DO-219AB
Piegādātāja ierīces pakete : Sub SMA
Darba temperatūra - krustojums : -55°C ~ 150°C

Jūs varētu arī interesēt
  • BAS16-TP

    Micro Commercial Co

    DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300mA 100V

  • BAT54E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS16E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A

  • DB3X317K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A MINI3.

  • CMDD6001 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA

  • VS-5EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns