Vishay Semiconductor Diodes Division - VS-5EWH06FNTR-M3

KEY Part #: K6455804

VS-5EWH06FNTR-M3 Cenas (USD) [251543gab krājumi]

  • 1 pcs$0.14704
  • 2,000 pcs$0.13326
  • 6,000 pcs$0.12406
  • 10,000 pcs$0.12253

Daļas numurs:
VS-5EWH06FNTR-M3
Ražotājs:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Tranzistori - programmējams atvienojums, Tiristori - TRIAC, Tranzistori - īpašam nolūkam, Diodes - Zener - Single, Tranzistori - JFET, Diodes - taisngrieži - masīvi, Strāvas draivera moduļi and Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-5EWH06FNTR-M3 electronic components. VS-5EWH06FNTR-M3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-5EWH06FNTR-M3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

VS-5EWH06FNTR-M3 Produkta atribūti

Daļas numurs : VS-5EWH06FNTR-M3
Ražotājs : Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts : DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK
Sērija : FRED Pt®
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 600V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 5A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.85V @ 5A
Ātrums : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 25ns
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 5µA @ 600V
Kapacitāte @ Vr, F : -
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Piegādātāja ierīces pakete : D-PAK (TO-252AA)
Darba temperatūra - krustojums : -65°C ~ 175°C

Jūs varētu arī interesēt
  • BAT54E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT23-3.

  • BAS16E6327HTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching AF DIODE 85V 0.25A

  • DB3X317K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 30V 1A MINI3.

  • CMDD6001 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching Ultra Low Leakage 71Vr 100Vrrm 250mA

  • VS-5EWH06FNTR-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 5A DPAK. Rectifiers Hyperfast 5A 600V 18ns

  • 1N4448W-E3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 500mA 4ns