Vishay Semiconductor Diodes Division - S1M-E3/61T

KEY Part #: K6458200

S1M-E3/61T Cenas (USD) [1431523gab krājumi]

  • 1 pcs$0.02584
  • 1,800 pcs$0.02266
  • 3,600 pcs$0.02044
  • 5,400 pcs$0.01777
  • 12,600 pcs$0.01511
  • 45,000 pcs$0.01422
  • 90,000 pcs$0.01333

Daļas numurs:
S1M-E3/61T
Ražotājs:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Detalizēts apraksts:
DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC. Rectifiers 1.0 Amp 1000 Volt
Manufacturer's standard lead time:
Noliktavā
Glabāšanas laiks:
Viens gads
Čips no:
Honkonga
RoHS:
Apmaksas veids:
Sūtīšanas veids:
Ģimenes kategorijas:
KEY Components Co, LTD ir elektronisko komponentu izplatītājs, kurš piedāvā produktu kategorijas, ieskaitot: Diodes - Zener - masīvi, Diodes - taisngrieži - masīvi, Tranzistori - īpašam nolūkam, Tranzistori - bipolāri (BJT) - masīvi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, Tranzistori - FET, MOSFET - vienvietīgi, Tranzistori - bipolāri (BJT) - vienvietīgi, ar iep and Diodes - taisngrieži - vienreizēji ...
Konkurences priekšrocības:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S1M-E3/61T electronic components. S1M-E3/61T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1M-E3/61T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S1M-E3/61T Produkta atribūti

Daļas numurs : S1M-E3/61T
Ražotājs : Vishay Semiconductor Diodes Division
Apraksts : DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Sērija : -
Daļas statuss : Active
Diodes tips : Standard
Spriegums - atpakaļgaitas līdzstrāva (Vr) (maks.) : 1000V
Pašreizējais - vidēji izlīdzināts (Io) : 1A
Spriegums - uz priekšu (Vf) (Max) @ If : 1.1V @ 1A
Ātrums : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reversās atveseļošanās laiks (trr) : 1.8µs
Pašreizējā - atpakaļgaitas noplūde @ Vr : 5µA @ 1000V
Kapacitāte @ Vr, F : 12pF @ 4V, 1MHz
Montāžas tips : Surface Mount
Iepakojums / lieta : DO-214AC, SMA
Piegādātāja ierīces pakete : DO-214AC (SMA)
Darba temperatūra - krustojums : -55°C ~ 150°C

Jūs varētu arī interesēt
  • 1SS250(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 200V 100MA SC59. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 200V Switching Diode S-Mini High

  • SE30AFG-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 400V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFD-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3.0A, 200V, ESD PROTECTION, SLIM SMA

  • SE30AFB-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 1.4A DO221AC. Rectifiers 3 Amp 100 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFJ-M3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 600 volts ESD PROTECTION 13in

  • SE20AFGHM3/6B

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 1.3A DO221AC. Rectifiers 2 Amp 400 volts ESD PROTECTION 13in